Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2, Транзистор IGBT

Новинка
Код Товара: 7000002376
В наличии: 529
12.00грн.

Биполярный транзистор с изолированным затвором 30F131 в корпусе TO-263-2 для использования в плазменных панелях.

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В
  • Максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А
  • Напряжение насыщения при номинальном токе: 1.9 В
  • Мощность: 140 Вт